星钥半导体申请微型发光二极管器件及制备方法专利，提升器件良率

　　国家知识产权局信息显示，星钥半导体有限公司申请一项名为“微型发光二极管器件及微型发光二极管器件的制备方法”的专利，公开号 CN 119342969 A，申请日期为2024年11月。

　　 专利摘要显示，本发明提供了一种微型发光二极管器件及微型发光二极管器件的制备方法。该微型发光二极管器件包括：驱动基板，具有第一表面，第一表面的第一区域分布有间隔设置的多个第一对准标记；发光单元，位于驱动基板具有第一表面的一侧，发光单元在第一表面上的正投影位于第一表面的第二区域，第二区域为第一表面中除第一区域之外的区域。通过本申请，驱动基板上的焊盘可以与对应的发光单元实现高精度的对齐，从而使得微型发光二极管器件具有可靠的电性连接，进而提升了器件良率。

　　 天眼查资料显示，星钥半导体有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1500万，实缴资本1500万。通过天眼查大数据分析，星钥半导体有限公司知识产权方面有商标信息22条，专利信息83条，此外企业还拥有行政许可9个。