南亚科技申请半导体结构制备方法专利，提高半导体结构制备效果

　　国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法”的专利，公开号 CN 119277773 A ，申请日期为 2023 年 8 月。

　　 专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括：提供一元件，其中该元件包括一基底与多个字元线及一字元线氮化层，其中该字元线氮化层覆盖该基底的一顶面并延伸至该多个字元线；形成至少一个外沟槽，延伸穿过该字元线氮化层并延伸至该基底；以及在该至少一个外沟槽中形成至少一个凹槽晶体管。