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三星将公开新一代MRAM存储器件研究成果

发布时间:2022-10-27 15:19编辑:admin已有: 人阅读


  美港电讯 10月27日讯,三星电子即将在国际电子器件会议(IEDM)上,报告其在新一代非易失性存储器件领域最新研究进展。会议接收的资料显示,三星研究人员在14nm FinFET逻辑工艺上实现了磁性隧道结堆叠的磁阻式随机存取存储器(MRAM)制造,据称是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存储器。


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