英特尔拿出挑战台积电的新筹码

　　在全球芯片制造竞争加速向2纳米时代迈进之际，英特尔希望向市场证明，它仍然有能力站在全球半导体制造技术的最前沿。

　　当地时间6月16日，在2026年VLSI）国际研讨会上，英特尔披露，先进制程节点Intel 18A-P正式进入风险试产阶段。

　　这是Intel 18A家族的首个性能增强版本，也是英特尔代工业务争夺外部客户的重要产品。对于一家过去数年因制程延期而饱受质疑的公司而言，这一进展的意义远超一次常规技术升级。

　　从10纳米节点长期延迟，到市场份额被竞争对手蚕食，再到代工业务持续亏损，外界对于英特尔能否重新成为先进制程领导者始终保持怀疑。2021年以来，英特尔启动IDM 2.0战略，投入数百亿美元扩建晶圆厂，并提出“四年五个节点”的激进路线图，希望重建制造优势。

　　英特尔最新披露，借助Intel 18A制程节点，英特尔代工已经将全环绕栅极晶体管和背面供电技术推向市场。面向未来的逻辑芯片设计。

　　英特尔代工副总裁兼英特尔院士Eric Karl表示，这些技术与同类正面互连技术相比，可减少11%的布线面积，并将动态压降幅度缩小10倍，从而实现高达6%的频率提升或超过15%的动态功耗降低。值得注意的是，相较于18A基础版本，18A-P可在相同功耗下实现9%的性能提升，或在相同性能下降低18%的功耗。

　　但从产业层面来看，18A的重要性并不在于性能数字本身，而在于英特尔是否能够兑现此前向客户承诺的时间表。

　　过去一年，Intel 18A已先后完成设计定版、客户流片以及内部产品导入等关键阶段。对于代工客户而言，本次18A-P进入风险试产的时间表比晶体管性能本身更加重要。

　　目前全球先进制程市场仍由台积电主导。随着人工智能推动高性能计算需求增长，越来越多芯片公司开始寻求第二供应

　　公开信息显示，英特尔已获得微软基于18A制程的芯片的制造订单，但相关产品细节及量产规模尚未公开。此外，英伟达、博通以及苹果也处于测试和评估阶段，但尚未宣布大规模量产合作。

　　在披露技术进度的同时，英特尔在VLSI上还公开了对于未来芯片微缩技术的长期研究进展。其中包括被视为GAA晶体管后续发展方向的互补场效应晶体管、用于降低互连电阻和电容的减成法钌互连技术，以及将氮化镓功率器件与硅基逻辑进行单片集成的新型方案。

　　这些研究成果距离商业化应用仍有一定距离，但可以看到，随着晶体管微缩难度不断提升，全球先进制程的竞争已经不再只是尺寸竞赛，而是围绕晶体管结构、供电方式、材料工程以及系统级优化展开的综合竞争。

　　在业内看来，相比单个产品发布，真正决定英特尔代工战略成败的，仍将是未来几年客户导入、量产执行以及商业化落地能力。