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安世半导体发布晶圆级12和30V MOSFET

发布时间:2022-07-27 15:36编辑:admin已有: 人阅读


  安世半导体消息,公司近日宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET,该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装,具有市场领先的RDS(on)特性,在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下,可使电力更为持久。


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