长江存储申请半导体器件及其制备方法、存储系统专利，提升半导体器件性能

　　国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、存储系统”的专利，公开号CN 119277786 A，申请日期为2023年7月。

　　 专利摘要显示，本申请提供半导体器件及其制备方法、存储系统。半导体器件包括：导电层、叠层结构和沟道结构。叠层结构位于导电层的一侧，并包括交替堆叠的栅极层和电介质层。沟道结构沿堆叠方向贯穿叠层结构，并延伸进导电层，沟道结构沿堆叠方向包括彼此连接的第一部分和第二部分，其中第一部分沿堆叠方向贯穿叠层结构，并由内向外包括第一沟道层和功能层，第二部分沿堆叠方向延伸进导电层，并由内向外包括第一沟道层和第二沟道层。

　　 天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6471073.69万人民币，实缴资本6471073.69万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1390次，知识产权方面有商标信息946条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1003个。