国芯半导体申请半导体多层外延片材料及其制备方法专利，半导体多层外延片材料漏电电流和开启电压低，击穿电压高

　　国家知识产权局信息显示，国芯半导体有限公司申请一项名为“一种半导体多层外延片材料及其制备方法”的专利，公开号CN 119352162 A，申请日期为2024年10月。

　　 专利摘要显示，本发明公开了一种半导体多层外延片材料及其制备方法，涉及半导体材料技术领域，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、第一多元共掺杂外延层、第二多元共掺杂外延层和碳化硅外延层；所述第一多元共掺杂外延层为稀土、Ga、N、Te共掺杂外延层；所述第二多元共掺杂外延层为N、In共掺杂外延层。本发明公开的半导体多层外延片材料漏电电流和开启电压低，击穿电压高。

　　 天眼查资料显示，国芯半导体有限公司，成立于2011年，位于扬州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2980万美元，实缴资本2979.9965万美元。通过天眼查大数据分析，国芯半导体有限公司参与招投标项目5次，知识产权方面有商标信息2条，此外企业还拥有行政许可1个。