罗姆股份申请半导体装置专利，包含特定结构的绝缘物设置

　　国家知识产权局信息显示，罗姆股份有限公司申请一项名为“半导体装置”的专利，公开号CN 119403184 A，申请日期为2015年5月。

　　 专利摘要显示，本发明的半导体装置，包括：第1导电型的SiC层；选择性地形成在所述SiC层上的电极；以及形成在所述SiC层上、达到设定在所述SiC层的端部的切割区域的绝缘物，所述绝缘物包含配置在所述电极的下方的电极下绝缘膜及以覆盖该电极下绝缘膜的方式配置的有机绝缘层，所述有机绝缘层与所述SiC层相接的区间的距离为40μm以上，所述电极下绝缘膜上的所述电极与所述SiC层的横向的距离为40μm以上。