苹果iPhone12不再标配充电器的消息也不胫而走

　　来源：快科技

　　距离苹果新机发布的时间越来越近，iPhone12不再标配充电器的消息也不胫而走。消息一出，便在快充行业中引起不小的轰动，如果iPhone12新机取消标配充电器，势必将产生一个巨大的市场缺口，给整个快充行业上下游产业链带来极大利好。

　　

 

　　爆料信息显示，在iPhone12取消标配充电器之后，手机包装盒的厚度将缩减为现有的一半，变得更加轻薄。

　　包装盒的内衬也将仅仅保留数据线位置，不再预留充电器的空间。

　　可以预见，在iPhone12取消标配充电器之后，市面上第三方USB PD快充充电器，尤其是入门级别的18W PD充电器，将进入销售的旺季，而作为18W PD快充的灵魂，内置MOS的快充电源芯片也将随之迎来出货的高光时刻。

　　通过拆解市面上热门的60余款18W PD快充充电器了解到，各大快充厂商往往更倾向于选择内置MOS的高集成电源方案，以此减少产品PCBA上元器件数量，降低系统成本、缩短产品开发周期、加速产品上市，抢占市场。

　　为了帮助广大工程师和快充厂商进行方案选型，我们统计汇总了一份适用于18W PD快充的高性价比电源方案列表，并整理了相关的方案的应用案例。

　　据充不完全统计，目前已有PI、东科、芯茂微、芯朋、美思迪赛、茂睿芯、硅动力等24家芯片品牌推出了116款内置MOS的电源芯片，包括内置MOS的初级芯片53款，以及内置MOS的次级芯片63款。下面就为大家分享各款芯片的应用案例。

　　AOS万国半导体

　　初级芯片：

　　1、AOS万国半导体AOZ7635

　　AOS万国半导体AOZ7635集成控制器和初级开关管，内置开关管导阻0.9Ω，耐压700V，内置逐周期电流限制，内建多重保护功能，采用增强散热的17-pin 6 x 6 QFN封装。

　　次级芯片：

　　1、AOS万国半导体AOZ7635

　　AOS万国半导体AOZ7648集成同步整流控制器和同步整流管，及反馈控制等多种保护功能。内置9mΩ低导阻 NMOS管用于同步整流，采用增强散热的38-pin 6×6 QFN封装。这款次级反馈IC并未采用常见的光耦反馈，而是采用了更加可靠的磁耦合传输技术，与Y电容平行的小板就是一个平板变压器。

　　APD SEMI矽力科技

　　初级芯片：

　　1、APD SEMI矽力科技AP205B

　　矽力科技AP205B是一款内置MOS外围简单高效的AC-DC芯片，有恒功率和恒压两种模式选择，2.4ohm，1.8ohm，0.9ohm三种内置mos供选择，很好的EMC特性，高压和低压的OCP一致性非常好，50mW以内的超低待机功耗，轻松通过欧洲六级能效，完美的保护功能。

　　次级芯片：

　　1、APD SEMI矽力科技AP405B

　　矽力科技AP405B是一款内置MOS外围简单高效的SR同步整流芯片，支持三种模式工作CCM/DCM/QR，无需辅助绕组，芯片高压自供电技术，使得AP405B完美支持输出电压低到3v，内置mos的驱动电压始终维持在9v，确保高效率工作， 外围最简单，可以正端接法或负端接法，外围仅需一个0.22uF电容，完美的保护功能，目前已经被飞利浦等很多品牌客户认可和量产。

　　CHIPHOPE芯茂微电子

　　次级芯片：

　　1、CHIPHOPE芯茂微电子LP20R100S

　　Chip-hop芯茂微的高性能副边同步整流驱动芯片LP20R100S，这款芯片适用于AC-DC的同步整流应用，适用于正激系统和反激系统，此外支持DCM，BCM，QR，和CCM多种工作模式，耐压100V，芯片内集成VCC供电。

　　Chipown芯朋微电子

　　初级芯片：

　　1、Chipown芯朋PN8160

　　PWM主控芯片采用的是芯朋微电子的PN8160，内部集成了电流模式控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。需要超低待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个先进的实现平台，非常适合六级能效、CoC Tier 2应用，PCB背面露铜帮助散热。

　　2、Chipown芯朋PN8161

　　芯朋PN8161内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、逐周期过流保护、过载保护、软启动功能。

　　芯朋PN8161通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现。

　　次级芯片：

　　1、Chipown芯朋PN8307H

　　芯朋PN8307H内置同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管，电压降极低的功率MOSFET可以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。

　　芯朋PN8307H内置12mΩ60V耐压同步整流管，适用3.6V-20V常用适配器输出，适用于QC3.0适配器及其他固定电压输出的适配器。该芯片还集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、防误开启、最小导通时间等功能。

　　CXW诚芯微

　　初级芯片：

　　1、CXW诚芯微CX7509

　　诚芯微CX7509芯片内置 650V 高压功率 MOSFET，应用于功率在 18W 以内的方案。 在启动和工作时只需要很小的电流，可以在启动电路中使用一个很大的电阻，以此来减小待机时的功耗。并且芯片内置包括逐周期限流保护(OCP)、过载保护(OLP)、过压保护(VDD OVP)、VDD 过压箝位，欠压保护(UVLO)、过温保护(OTP)等在内的多种保护功能，通过内部的图腾柱驱动结构可以更好的改善系统的EMI 特性和开关的软启动控制。

　　次级芯片：

　　1、CXW诚芯微CX7538

　　诚芯微CX7538是一颗高性能的开关电源次级侧同步整流控制电路。在低压大电流开关电源应用中，轻松满足6级能效，是理想的超低导通压降整流器件的解决方案。芯片可支持高达 150kHz 的开关频率应用，并且支持 CCM/QR/DCM等开关电源工作模式应用，其极低导通压降产生的损耗远小于肖特基二极管的导通损耗，极大提高了系统的转换效率，大幅降低了整流器件的温度。

　　诚芯微CX7538内置耐压高达85V的NMOSFET同步整流开关，且具有极低的内阻，典型 RdsON 低至 10mΩ，可提供系统高达 3A 的应用输出;还内置了高压直接检测技术，耐压高达 200V;以及高达 30V 的供电电压，使得控制器可直接使用高至 24V 的输出电压整流应用中，极大扩展了使用范围。高集成度的电路设计使得芯片外围电路极其简单，在 QC 与 PD 5V/9V/12V 应用中，只需搭配 1 颗电容，即可构建一个完整的同步整流应用系统。